-
1 затвор полевого транзистора
Большой англо-русский и русско-английский словарь > затвор полевого транзистора
-
2 изолированный затвор
Англо-русский словарь технических терминов > изолированный затвор
-
3 истоковый переход
( полевого транзистора) source junctionАнгло-русский словарь технических терминов > истоковый переход
-
4 напряжение затвора
( полевого транзистора) gate voltageАнгло-русский словарь технических терминов > напряжение затвора
-
5 напряжение истока
( полевого транзистора) source voltageАнгло-русский словарь технических терминов > напряжение истока
-
6 область отсечки
( полевого транзистора) pinch-off regionАнгло-русский словарь технических терминов > область отсечки
-
7 переход затвора
( полевого транзистора) gate junctionАнгло-русский словарь технических терминов > переход затвора
-
8 скрытый затвор
( полевого транзистора) buried gate -
9 сопротивление канала
( полевого транзистора) channel resistanceАнгло-русский словарь технических терминов > сопротивление канала
-
10 стоковый переход
( полевого транзистора) drain junctionАнгло-русский словарь технических терминов > стоковый переход
-
11 стокозатворная характеристика
( полевого транзистора) transfer characteristicАнгло-русский словарь технических терминов > стокозатворная характеристика
-
12 ток затвора
( полевого транзистора) gate current -
13 ток канала
( полевого транзистора) channel current -
14 ток отсечки
( полевого транзистора) pinch current -
15 power gain
- усиление по мощности
- коэффициент усиления прибора СВЧ
- коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
- коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
- коэффициент усиления по мощности
- коэффициент усиления мощности генераторной лампы
- выигрыш мощности
коэффициент усиления мощности генераторной лампы
усиление мощности
Отношение выходной мощности к мощности возбуждения генераторной лампы.
Примечание
Величина расчетная (непосредственно не измеряемая).
Коэффициент усиления мощности генераторной лампы выражается в безразмерных единицах или в децибелах.
[ ГОСТ 20412-75]Тематики
Синонимы
EN
FR
коэффициент усиления по мощности
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
KyP
Gp
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора
коэффициент усиления по мощности
Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения.
Обозначение
Kур
Gp
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
коэффициент усиления прибора СВЧ
коэффициент усиления
Ку
Отношение выходной мощности прибора СВЧ к входной.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Синонимы
EN
усиление по мощности
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
58. Коэффициент усиления мощности генераторной лампы*
Усиление мощности
E. Power gain
F. Gain de puissance
Отношение выходной мощности к мощности возбуждения генераторной лампы.
Примечание. Коэффициент усиления мощности генераторной лампы выражается в безразмерных единицах или в децибелах
Источник: ГОСТ 20412-75: Лампы генераторные, модуляторные и регулирующие. Термины и определения оригинал документа
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора
D. Leistungsverstärkung
E. Power gain
F. Gain en puissance
КyP
Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
200. Коэффициент усиления прибора СВЧ
Коэффициент усиления
Power gain
Ky
Отношение выходной мощности прибора СВЧ к входной
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > power gain
-
16 noise figure
коэффициент шума биполярного транзистора
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
коэффициент шума полевого транзистора
коэффициент шума
Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.
Обозначение
Kш
F
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
32. Коэффициент шума биполярного транзистора
D. Rauschzahl
E. Noise figure
F. Facteur de bruit
Kш
Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > noise figure
-
17 turn-on time
- время включения тиристора
- время включения стабилитрона
- время включения полевого транзистора
- время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время включения биполярного транзистора
время включения биполярного транзистора
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время включения
tвкл
ton
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10% значения входного сигнала и 90% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время включения полевого транзистора
время включения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора.
Обозначение
tвкл
ton
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
- temps total d’établissement
время включения стабилитрона
tвкл
tоп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
Обобщающие термины
EN
DE
время включения тиристора
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tувкл, tвкл
tgt, tt
Примечания
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
- temps d’amorçage
86. Время включения стабилитрона
D. Einschaltzeit der Z-Diode
E. Turn-on time
tвкл
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
110. Время включения тиристора
E. Turn-on time
F. Temps d’amorcage
tувкл, tвкл
Интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления или переключается из закрытого состояния в открытое импульсным отпирающим напряжением.
Примечания:
1. Интервал времени измеряют от заданного момента в начале импульса отпирающего тока управления или импульса отпирающего напряжения до момента, когда основное напряжение понижается до заданного значения.
2. Время включения равняется сумме времени задержки и времени нарастания.
3. Время включения может быть определено по нарастанию основного тока до заданного значения
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время включения
Turn-on time
tвкл
Интервал времени, равный сумме времени задержки и времени нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 10 % значения входного сигнала и 90 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
40. Время включения биполярного транзистора
D. Einschaltzeit
E. Turn-on time
F. Temps total d'établissement
tвкл
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on time
-
18 rise time
- длительность переднего фронта импульса
- время подъёма мощности
- время подъёма
- время нарастания тиристора
- время нарастания сигнала интегральной микросхемы
- Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
- время нарастания для полевого транзистора
- время нарастания для биполярного транзистора
- время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время нарастания (вторичного напряжения)
- время нарастания
- время восстановления (в электротехнике)
время восстановления
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]
время нарастания
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электросвязь, основные понятия
- электротехника, основные понятия
EN
время нарастания (вторичного напряжения)
Время в микросекундах, необходимое для нарастания вторичного напряжения от одного определенного значения до другого при заданных условиях.
[ ГОСТ 28772-90]Тематики
- системы зажигания автомоб. двигат.
EN
FR
время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время нарастания
tнр
tr
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время нарастания для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды.
Обозначение
tнр
tк
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время нарастания для полевого транзистора
время нарастания
Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора.
Обозначение
tнр
tr
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время нарастания сигнала интегральной микросхемы
время нарастания сигнала
Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tнар
tr
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время нарастания тиристора
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Обозначение
tу,пнр, tнр
tgr, tr
Примечание
Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии.
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время подъёма
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
время подъёма мощности
(напр. ядерного реактора)
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
EN
длительность переднего фронта импульса
время нарастания импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
3.16 время нарастания (rise time): Промежуток времени между моментами, когда мгновенное значение импульса достигает установленных низкого и высокого предельных значений.
Примечание - Если не установлены иные значения, в качестве низкого и высокого предельных значений принимают 0,1 и 0,9 пикового значения импульса.
Источник: ГОСТ Р 51317.4.2-2010: Совместимость технических средств электромагнитная. Устойчивость к электростатическим разрядам. Требования и методы испытаний оригинал документа
112. Время нарастания тиристора
E. Rise time
F. Temps de croissance
tу,пнр, tнр
Интервал времени между моментом, когда основное напряжение тиристора понижается до заданного значения, близкого к начальному значению, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора отпирающим током управления или переключении импульсным отпирающим напряжением.
Примечание. Время нарастания может быть определено как интервал времени, в течение которого основной ток увеличивается от заданного значения, близкого к наименьшему, до значения, близкого к наибольшему значению в открытом состоянии
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
27. Время нарастания импульса излучения полупроводникового излучателя
Время нарастания импульса
Rise time
tнр.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
47. Время нарастания выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время нарастания
Rise time
tнр
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 10 до 90 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
37. Время нарастания для биполярного транзистора
D. Anstiegszeit
E. Rise time
F. Temps de croissance
tнр
Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10 % его амплитуды, до значения, соответствующего 90 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > rise time
-
19 source
- производитель
- поставщик (продукции)
- модель предоставления
- источник риска
- источник примеси
- источник (происхождения)
- источник (в оптических линиях связи)
- источник (в менеджменте риска)
- источник (в геологии)
- источник
- исток (полевого транзистора)
- исток (в полупроводниковых приборах)
- исток
исток
Электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.
[ ГОСТ 15133-77]Тематики
EN
DE
FR
исток (в полупроводниковых приборах)
Один из трех выводов полевого транзистора; сильно легированная область, из которой в канал инжектируются основные носители.
[ http://www.cscleansystems.com/glossary.html]Тематики
EN
исток (полевого транзистора)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
источник
отправитель (сообщения)
—
[ http://www.rfcmd.ru/glossword/1.8/index.php?a=index&d=4464]
источник
1. Термин теории графов; то же, что начальное событие в сетевом графике. См. Событие, Сетевое планирование и управление (СПУ). 2. В сетевой постановке транспортной задачи — пункт производства (в отличие от пункта потребления, называемого стоком).
[ http://slovar-lopatnikov.ru/]Тематики
Синонимы
EN
источник
Естественный сосредоточенный выход подземных вод на земную поверхность или под водой
[Терминологический словарь по строительству на 12 языках (ВНИИИС Госстроя СССР)]
источник
ключ
родник
Естественный выход подземной воды непосредственно на земную поверхность.
[ Словарь геологических терминов и понятий. Томский Государственный Университет]Тематики
- водоснабжение и канализация в целом
- геология, геофизика
- гидрология суши
Обобщающие термины
Синонимы
EN
DE
FR
источник
Объект или деятельность с потенциальными последствиями
Примечание - Применительно к безопасности источник представляет собой опасность (см. Аспекты безопасности. Правила включения в стандарты)
[ ГОСТ Р 51897-2002]Тематики
EN
FR
источник (происхождения)
поставщик
—
[ http://slovarionline.ru/anglo_russkiy_slovar_neftegazovoy_promyishlennosti/]Тематики
Синонимы
EN
модель предоставления
См. выбор модели предоставления услуг.
[Словарь терминов ITIL версия 1.0, 29 июля 2011 г.]EN
source
See service sourcing.
[Словарь терминов ITIL версия 1.0, 29 июля 2011 г.]Тематики
EN
производитель
Сторона, которая изготовляет или собирает компонент.
Примечание - Производитель и поставщик могут быть одним лицом или компанией.
[ГОСТ ИСО / ТО 10949- 2007]EN
3.18 источник (source): Объект или деятельность с потенциальными последствиями.
Примечание - Применительно к безопасности источник представляет собой опасность (см. ИСО/МЭК Руководство 51).
[ИСО/МЭК Руководство 73:2002, пункт 3.1.5]
Источник: ГОСТ Р ИСО/МЭК 16085-2007: Менеджмент риска. Применение в процессах жизненного цикла систем и программного обеспечения оригинал документа
3.44 источник риска (source): Объект или деятельность, которые самостоятельно или в комбинации с другими обладают возможностью вызывать повышение риска.
Примечание - Источник риска может быть материальным или нематериальным.
[Руководство ИСО/МЭК 73]
Источник: ГОСТ Р 53647.4-2011: Менеджмент непрерывности бизнеса. Руководящие указания по обеспечению готовности к инцидентам и непрерывности деятельности оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > source
-
20 turn-off time
- время отключения
- время выключения тиристора
- время выключения полевого транзистора
- время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время выключения биполярного транзистора
время выключения биполярного транзистора
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время выключения
tвыкл
toff
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90% значения входного сигнала и 10% значения выходного сигнала.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время выключения полевого транзистора
время выключения
Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада.
Обозначение
tвыкл
toff
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время выключения тиристора
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора.
Обозначение
tвыкл
tq
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
время отключения
—
[Интент]
время отключения
-
[Лугинский Я. Н. и др. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике. 2-е издание - М.: РУССО, 1995 - 616 с.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
113. Время выключения тиристора
E. Turn-off time
F. Temps de désamorcage
tвыкл
Наименьший интервал времени между моментом, когда основной ток тиристора после внешнего переключения основных цепей понизился до нуля, и моментом, в который определенное основное напряжение тиристора проходит через нулевое значение без переключения тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
51. Время выключения оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время выключения
Turn-off time
tвыкл
Интервал времени, равный сумме времени сохранения и времени спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора), измеренный между 90 % значения входного сигнала и 10 % значения выходного сигнала
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
41. Время выключения биполярного транзистора
D. Ausschaltzeit
E. Turn-off time
F. Temps total de coupure
tвыкл
Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-off time
См. также в других словарях:
время включения полевого транзистора — время включения Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора. Обозначение tвкл ton [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время включения EN turn on time DE… … Справочник технического переводчика
время задержки выключения полевого транзистора — время задержки выключения Интервал времени между 90% ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90% ным значением амплитуды среза выходного импульса. Обозначение tзд.выкл td(off) [ГОСТ 19095 73]… … Справочник технического переводчика
время нарастания для полевого транзистора — время нарастания Интервал времени между 10% ным и 90% ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора. Обозначение tнр tr [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время нарастания EN rise… … Справочник технического переводчика
коэффициент усиления по мощности полевого транзистора — коэффициент усиления по мощности Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения. Обозначение Kур Gp [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы коэффициент усиления … Справочник технического переводчика
коэффициент шума полевого транзистора — коэффициент шума Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала. Обозначение Kш F [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы… … Справочник технического переводчика
время спада для полевого транзистора — время спада Интервал времени между 90% ным и 10% ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора. Обозначение tсп tf [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые приборы Синонимы время спада EN fall time DE Abfallzeit… … Справочник технического переводчика
крутизна характеристики полевого транзистора — крутизна характеристики Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком. Обозначение S gms [ГОСТ 19095 73] Тематики полупроводниковые… … Справочник технического переводчика
напряжение отсечки полевого транзистора — напряжение отсечки Напряжение между затвором и истоком транзистора с p n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.отс UGS(off) [ГОСТ 19095… … Справочник технического переводчика
пороговое напряжение полевого транзистора — пороговое напряжение Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Обозначение UЗИ.пор UGST [ГОСТ 19095 73] Тематики… … Справочник технического переводчика
канал полевого транзистора — lauko tranzistoriaus kanalas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. channel of field effect transistor; field effect transistor channel vok. Kanal eines Feldeffekttransistor, m rus. канал полевого транзистора, m pranc. canal d un… … Automatikos terminų žodynas
затвор полевого транзистора — lauko tranzistoriaus užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. field effect transistor gate vok. Gate eines Feldeffekttransistors, n rus. затвор полевого транзистора, m pranc. grille d un transistor à effet de champ, f … Radioelektronikos terminų žodynas